من المتوقع أن تكشف شركة
سامسونغ و SK Hynix عن أحدث حلول الذاكرة ضمن فعاليات مؤتمر IEEE-SSCC 2024 المقرر أن ينطلق بين 18 و 22 من شباط.
ولدى الشركتين عدد ضخم من التقنيات الحديثة وحلول الذاكرة المتنوعة التي تشمل ذاكرة DDR5، و GDDR7، و HBM3E، و HBM4، إلخ، إذ تشير التوقعات إلى أن
سامسونج ستقدم ذاكرة GDDR7 التي استطاعت أن تحقق معدلات نقل مذهلة وغير مسبوقة.
أولى المنتجات التي ستعلن عنها سامسونغ هي ذاكرة فلاش 3D NAND
القادمة بتصميم يضم 280 طبقة وبحجم قدره 1 تيرابت، مما يمهد الطريق لتعزيز أداء
الجيل القادم من أقراص التخزين SSD والهواتف الذكية.
وتجدر الإشارة إلى أن أسرع أنواع ذاكرة الفلاش 3D NAND المستخدمة في أقراص SSD NVMe تعتمد على معدلات نقل تصل إلى 2.4 جيجابت/ الثانية، مما يؤكد أننا أمام نقلة نوعية في أداء أقراص SSD.
كما ستعرض سامسونغ رقاقة ذاكرة DDR5 جديدة من الجيل التالي بتردد يصل إلى 8000 ميجاهرتز مع كثافة قدرها 32 جيجابت للرقاقة الواحدة. هذه الرقاقة ستكون مصنوعة بدقة تصنيع قدرها 10
نانومتر وقد عملت سامسونغ على تحسينها خصوصًا لذواكر DRAM.
وستكشف سامسونغ أيضًا عن أحدث جيل من ذاكرة GDDR7 المخصصة للبطاقات الرسومية RTX 50 القادمة من شركة إنفيديا والبطاقات الرسومية AMD Radeon RX 8000، ويتوقع أن تأتي هذه الذاكرة بضعف معدل نقل البيانات مقارنة بذاكرة GDDR6 الحالية.
في حين ستكشف شركة SK Hynix عن ذاكرة GDDR7 بمعدل نقل بيانات يصل إلى 35.4 جيجابت/ الثانية، مع كثافة تبلغ 16 جيجابت للرقاقة الواحدة. وستستخدم SK Hynix تقنية PAM3 وطريقة مختلفة لإدارة معدل استهلاك الطاقة للذاكرة.
كما ستعرض SK Hynix تصميمًا جديدًا لذاكرة HBM3E بتكديس مكون من 16 طبقة بحجم قدره 48 جيجابايت قادر على تحقيق عرض نطاق ترددي للذاكرة يصل إلى 1280 جيجابايت/ الثانية للتكديس الواحد. ويمكن لوحدة معالجة الرسوم المزودة بأربعة من رقاقات الذاكرة المكدسة HBM3E أن تأتي بحجم قدره 192 جيجابايت وعرض نطاق ترددي للذاكرة يصل إلى 5.12 تيرابايت/ الثانية.(البوابة العربية للأخبار التقنية)